集成電路的發(fā)展是衡量一個(gè)國家經(jīng)濟(jì)實(shí)力和科技水平的重要標(biāo)志，它需要微電子學(xué)、物理學(xué)、化學(xué)、半導(dǎo)體、光學(xué)、精密機(jī)械等諸多學(xué)科的交叉。1980年新華社宣布我國首創(chuàng)了無顯影氣相光刻技術(shù)，40年來，我國的光刻技術(shù)突飛猛進(jìn)，集成度的迅猛提高得益于微細(xì)加工技術(shù)的不斷發(fā)展，而光刻和光致抗蝕劑是微細(xì)加工的關(guān)鍵技術(shù)和關(guān)鍵材料。
UV技術(shù)應(yīng)用于光致抗蝕劑，傳統(tǒng)的光致抗蝕劑經(jīng)過技術(shù)革新，衍生出化學(xué)增幅光致抗蝕劑，而193nm光刻中的光致抗蝕劑具有更高的感光靈敏度。化學(xué)增幅光致抗蝕劑就成為光刻材料研究的前沿和重點(diǎn)。
